STP6N25 Todos los transistores

 

STP6N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP6N25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STP6N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:373K  st
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STP6N25

STP6N25STP6N25FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6N25 250 V

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STP6N25

STP6N25STP6N25FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTP6N25 250 V

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stp6na60fp.pdf pdf_icon

STP6N25

STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V

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stb6nc80z stp6nc80z.pdf pdf_icon

STP6N25

STP6NC80Z - STP6NC80ZFPSTB6NC80Z - STB6NC80Z-1N-CHANNEL 800V - 1.5 - 5.4A TO-220/FP/DPAK/IPAKZener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NC80Z/FP 800V

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