NTTFS5C471NL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NTTFS5C471NL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 41 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: WDFN8

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NTTFS5C471NL datasheet

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NTTFS5C471NL

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NTTFS5C471NL

MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 14 mW, 26 A NTTFS5C478NL Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX 14 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C unless otherwise noted) 40

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NTTFS5C471NL

NTTFS5C454NL Power MOSFET 40 V, 3.8 mW, 85 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 3.8 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C

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NTTFS5C471NL

NTTFS5C454NL Power MOSFET 40 V, 3.8 mW, 85 A, Single N-Channel Features Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 3.8 mW @ 10 V MAXIMUM RATINGS (TJ = 25 C

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