2SK2132 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

2SK2132 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SK2132

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 180 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm

Encapsulados: MP10

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

2SK2132 datasheet

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DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK2137 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS The 2SK2137 is N-Channel MOS Field Effect Transistor de- (in millimeters) signed for high voltage switching applications. 10.0 0.3 4.5 0.2 3.2 0.2 2.7 0.2 FEATURES Low On-Resistance 2SK2137 RDS(on) = 2.4 (VGS = 10 V, ID = 2.0 A) Low Cis