SI4N60-TA3-T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SI4N60-TA3-T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO220

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SI4N60-TA3-T datasheet

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SI4N60-TA3-T

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SI4N60-TA3-T

November 2001 SSW4N60B / SSI4N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 600V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 22 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 14 pF) This advanced technology has been especially tailored to

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SI4N60-TA3-T

BRI4N60(CSI4N60) N-CHANNEL MOSFET/N MOS DC/DC Purpose These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converters and switch mode power supplies. , , Features Low gate charge, low crss, fast switching. /Absolute maximum ratings(Ta=25

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SI4N60-TA3-T

SW4N60DA N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-251S BVDSS 600V ID 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ3.35 )@VGS=10V RDS(ON) 3.35 Low Gate Charge (Typ 9.6nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 Application DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

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