STP6NA80FI Todos los transistores

 

STP6NA80FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP6NA80FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 95 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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STP6NA80FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:390K  st
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STP6NA80FI

STP6NA80STP6NA80FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA80 800 V

 8.1. Size:96K  st
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STP6NA80FI

STP6NA60FPN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60FP 600 V

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STP6NA80FI

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 stp6na60-fi.pdf pdf_icon

STP6NA80FI

STP6NA60STP6NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP6NA60 600 V

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History: IRC230 | IRF641

 

 
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