NVH4L160N120SC1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVH4L160N120SC1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 111 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 49.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.224 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVH4L160N120SC1

NVH4L160N120SC1 Datasheet (PDF)

0.1. Size:359K onsemi
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MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel, TO247-4L1200 V, 160 mW, 17.3 ANVH4L160N120SC1Features Typ. RDS(on) = 160 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 34 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 49.5 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested1200 V 224 mW @ 20 V 17.3 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable This Device is P

9.1. Size:415K onsemi
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MOSFET Power,N-Channel, Silicon Carbide,TO-247-4L1200 V, 80 mWNVH4L080N120SC1www.onsemi.comDescriptionSilicon Carbide (SiC) MOSFET uses a completely new technologythat provide superior switching performance and higher reliabilityVDSS RDS(ON) TYP ID MAXcompared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compactchip size ensure low capacitance and gate charge. Co

9.2. Size:364K onsemi
nvh4l040n120sc1.pdf

MOSFET - SiC Power, SingleN-Channel, TO247-4L1200 V, 40 mW, 58 ANVH4L040N120SC1Features Typ. RDS(on) = 40 mW www.onsemi.com Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC) High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX 100% Avalanche Tested1200 V 56 mW @ 20 V 58 A AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable This Device is Pb-Free

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Liste

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