STP7NA60FI Todos los transistores

 

STP7NA60FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP7NA60FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
     - Selección de transistores por parámetros

 

STP7NA60FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:395K  st
stp7na60.pdf pdf_icon

STP7NA60FI

STP7NA60STP7NA60FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP7NA60 600 V

 8.1. Size:408K  st
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STP7NA60FI

STP7NA40STP7NA40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP7NA40 400 V

 9.1. Size:876K  st
stp7n65m2 stu7n65m2.pdf pdf_icon

STP7NA60FI

STP7N65M2, STU7N65M2 N-channel 650 V, 0.98 typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-220 and IPAK packages Datasheet - production data Features TABR DS(on)Order code VDS ID max STP7N65M2 650 V 1.15 5 A 32 STU7N65M2 650 V 1.15 5 A TAB1TO-220 Extremely low gate charge 32 Excellent output capacitance (Coss) profile IPAK 1 100% avalanche

 9.2. Size:276K  st
stp7nb60.pdf pdf_icon

STP7NA60FI

STP7NB60STP7NB60FPN-CHANNEL 600V - 1.0 - 7.2A TO-220/TO-220FPPowerMESH MOSFETTable 1. General Features Figure 1. PackageType VDSS RDS(on) IDSTP7NB60 600 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IXTU2N80P | SVSP14N60TD2 | MEE7816AS-G

 

 
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