NVMFS5C450N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVMFS5C450N
   Código: 5C450N_450NWF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 102 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

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NVMFS5C450N Datasheet (PDF)

..1. Size:166K onsemi
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NVMFS5C450NMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 3.3 mW, 102 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C450NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical40 V 3.3 mW @ 10 V 102 AInspection AEC-Q101 Qualif

0.1. Size:160K onsemi
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NVMFS5C450NLPower MOSFET40 V, 2.8 mW, 110 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C450NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable2.8 mW

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NVMFS5C456NLMOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 3.7 mW, 87 AFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C456NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical3.7 mW @ 10 VInspection40 V 87 A6.0 mW @ 4.5 V

5.2. Size:179K onsemi
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MOSFET Power, SingleN-Channel40 V, 4.5 mW, 80 ANVMFS5C456NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C456NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical40 V 4.5 mW @ 10 V 80 AInspection AEC-Q101 Qualifie

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Liste

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