NVMFS5C450N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMFS5C450N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 102 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 830 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: DFN5

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NVMFS5C450N datasheet

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NVMFS5C450N

NVMFS5C450N MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 3.3 mW, 102 A Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C450NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 40 V 3.3 mW @ 10 V 102 A Inspection AEC-Q101 Qualif

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NVMFS5C450N

NVMFS5C450NL Power MOSFET 40 V, 2.8 mW, 110 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C450NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 2.8 mW

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NVMFS5C450N

MOSFET Power, Single N-Channel 40 V, 4.5 mW, 80 A NVMFS5C456N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C456NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 40 V 4.5 mW @ 10 V 80 A Inspection AEC-Q101 Qualifie

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