NVMFS5C670N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMFS5C670N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 61 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 71 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.007 Ohm

Encapsulados: DFN5

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NVMFS5C670N datasheet

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NVMFS5C670N

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 7.0 mW, 71 A NVMFS5C670N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C670NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 60 V 7.0 mW @ 10 V 71 A Inspection AEC-Q101 Qualifi

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NVMFS5C670N

NVMFS5C670NL Power MOSFET 60 V, 6.1 mW, 71 A, Single N-Channel Features Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses www.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C670NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical Inspection V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 6.1 mW @

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NVMFS5C670N

MOSFET Power, Single, N-Channel 60 V, 10.7 mW, 50 A NVMFS5C673N Features www.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C673NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical 60 V 10.7 mW @ 10 V 50 A Inspection AEC-Q101 Quali

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NVMFS5C670N

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