NVMFS5C673N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVMFS5C673N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 465 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0107 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVMFS5C673N

NVMFS5C673N Datasheet (PDF)

..1. Size:132K onsemi
nvmfs5c673n.pdf

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 10.7 mW, 50 ANVMFS5C673NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C673NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical60 V 10.7 mW @ 10 V 50 AInspection AEC-Q101 Quali

0.1. Size:177K onsemi
nvmfs5c673nl.pdf

MOSFET Power, SingleN-Channel60 V, 9.2 mW, 50 ANVMFS5C673NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C673NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical9.2 mW @ 10 V60 V 50 AInspection13 mW @ 4.5 V

5.1. Size:167K onsemi
nvmfs5c670n.pdf

MOSFET Power, Single,N-Channel60 V, 7.0 mW, 71 ANVMFS5C670NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low QG and Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVMFS5C670NWF - Wettable Flank Option for Enhanced Optical60 V 7.0 mW @ 10 V 71 AInspection AEC-Q101 Qualifi

5.2. Size:795K onsemi
nvmfs5c677nl.pdf

5.3. Size:117K onsemi
nvmfs5c670nl.pdf

NVMFS5C670NLPower MOSFET60 V, 6.1 mW, 71 A, Single N-ChannelFeatures Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losseswww.onsemi.com Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses NVMFS5C670NLWF - Wettable Flank Option for Enhanced OpticalInspectionV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable6.1 mW @

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History: BUZ90

Liste

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