STP9NA50FI Todos los transistores

 

STP9NA50FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STP9NA50FI
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.75 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 56 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOWATT220
 

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STP9NA50FI Datasheet (PDF)

 6.1. Size:385K  st
stp9na50.pdf pdf_icon

STP9NA50FI

STP9NA50STP9NA50FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NA50 500 V

 9.1. Size:343K  st
stp9nc65.pdf pdf_icon

STP9NA50FI

STP9NC65STP9NC65FPN-CHANNEL 650V - 0.75 - 8A TO-220/TO-220FPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTP9NC65 650 V

 9.2. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf pdf_icon

STP9NA50FI

STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V

 9.3. Size:345K  st
stp9nk65z stp9nk65zfp.pdf pdf_icon

STP9NA50FI

STP9NK65ZSTP9NK65ZFPN-channel 650 V - 1 - 6.4 A TO-220 / TO-220FPZener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTP9NK65ZFP 650 V

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History: KDD2572 | IXFN170N10

 

 
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