STP9NA50FI Todos los transistores

 

STP9NA50FI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP9NA50FI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

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STP9NA50FI datasheet

 6.1. Size:385K  st
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STP9NA50FI

STP9NA50 STP9NA50FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP9NA50 500 V

 9.1. Size:343K  st
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STP9NA50FI

 9.2. Size:896K  st
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf pdf_icon

STP9NA50FI

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 9.3. Size:345K  st
stp9nk65z stp9nk65zfp.pdf pdf_icon

STP9NA50FI

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