NVTFS6H888NL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NVTFS6H888NL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: WDFN8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVTFS6H888NL

NVTFS6H888NL Datasheet (PDF)

..1. Size:267K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 50 mW, 14 ANVTFS6H888NLFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVTFS6H888NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 50 mW @ 10 V80 V14 A These Dev

3.1. Size:202K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 55 mW, 13 ANVTFS6H888NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H888NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 55 mW @ 10 V 13 A These Device

5.1. Size:265K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 29 mW, 22 ANVTFS6H880NLFeatures Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX NVTFS6H880NLWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 29 mW @ 10 V80 V22 A These Devi

5.2. Size:198K onsemi
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MOSFET - Power, SingleN-Channel80 V, 32 mW, 22 ANVTFS6H880NFeatureswww.onsemi.com Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver LossesV(BR)DSS RDS(on) MAX ID MAX NVTFS6H880NWF - Wettable Flanks Product AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable80 V 32 mW @ 10 V 22 A These Device

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

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