PJM3401PSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PJM3401PSC
Código: P1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.3 V
Carga de la puerta (Qg): 8.5 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PJM3401PSC
PJM3401PSC Datasheet (PDF)
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PJM3401PSCP-Channel Power MOSFETSOT-23-3 Features VDS= -30V I = -4.5AD RDS(ON)= 60m(max) @-10V2 Halogen and Antimony Free31Applications1. Gate 2.Source 3.Drain Load Switch and in PWM ApplicationsMarking: P1Schematic DiagramDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless otherwise specified.Parameter Symbol Valu
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PJM3401PSA P-Enhancement Field Effect TransistorFeaturesSOT-23 High density cell design for ultra low RDS(ON) Fully characterized avalanche voltage and current Excellent package for good heat dissipation1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R1ApplicationsSchematic Diagram Power switching applicationDrain3 Hard switched and high frequency circuits Unint
pjm3400nsa.pdf
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PJM3400NSAN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)
pjm3407psa.pdf
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PJM3407PSAP Enhancement Field Effect TransistorSOT-23Features VDS=-30V, ID=-4.1ARDS(on)=50m (Typ.)@VGS=-10V High density cell design for ultra low RDS(ON) Low gate charge1. Gate 2.Source 3.DrainMarking: R7ApplicationsSchematic Diagram Load Switch and in PWM ApplicationsDrain31GateSource2Absolute Maximum Ratings Ratings at TA =25 unless ot
pjm3400nsc.pdf
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PJM3400NSCN- Enhancement Mode Field Effect TransistorSOT-23-3 Features VDS = 30V,ID = 5.8ARDS(ON)
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