RK7002BMHZG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RK7002BMHZG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de RK7002BMHZG MOSFET
RK7002BMHZG Datasheet (PDF)
rk7002bmhzg.pdf
RK7002BMHZGDatasheetNch 60V 250mA Small Signal MOSFETAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23VDSS60V SST3RDS(on)(Max.)2.4ID250mAPD350mW lInner circuitllFeaturesl1) Very fast switching2) Ultra low voltage drive (2.5V drive)3) ESD protection up to 2kV (HBM)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.5)
rk7002bm.pdf
2.5V Drive Nch MOSFETRK7002BM DatasheetStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKUApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7
rk7002bt116.pdf
2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7002B
rk7002b.pdf
2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7002B
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Liste
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