RK7002BMHZG Todos los transistores

 

RK7002BMHZG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: RK7002BMHZG
   Código: RKU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

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RK7002BMHZG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1623K  rohm
rk7002bmhzg.pdf

RK7002BMHZG RK7002BMHZG

RK7002BMHZGDatasheetNch 60V 250mA Small Signal MOSFETAEC-Q101 QualifiedlOutlinel SOT-23VDSS60V SST3RDS(on)(Max.)2.4ID250mAPD350mW lInner circuitllFeaturesl1) Very fast switching2) Ultra low voltage drive (2.5V drive)3) ESD protection up to 2kV (HBM)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.5)

 6.1. Size:276K  rohm
rk7002bm.pdf

RK7002BMHZG RK7002BMHZG

2.5V Drive Nch MOSFETRK7002BM DatasheetStructure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKUApplicationSwitchingPackaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7

 7.1. Size:212K  rohm
rk7002bt116.pdf

RK7002BMHZG RK7002BMHZG

2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7002B

 7.2. Size:233K  rohm
rk7002b.pdf

RK7002BMHZG RK7002BMHZG

2.5V Drive Nch MOSFET RK7002B Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET SST3Features1) High speed switing.2) Small package(SST3).3) Low voltage drive(2.5V drive).Abbreviated symbol : RKT ApplicationSwitching Packaging specifications Inner circuit(3)Package TapingTypeCode T116Basic ordering unit (pieces) 3000RK7002B

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