RQ5E050AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ5E050AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Encapsulados: SOT-346T
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RQ5E050AT datasheet
rq5e050at.pdf
RQ5E050AT Datasheet Pch -30V -5A Small Signal MOSFET lOutline l SOT-346T VDSS -30V SC-96 RDS(on)(Max.) 26m TSMT3 ID 5.0A PD 1.0W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (TSMT3) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications l Embossed Packing Tape
rq5e035bn.pdf
RQ5E035BN Datasheet Nch 30V 3.5A Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 37m ID 3.5A PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Built-in G-S Protection Diode. 3) Small Surface Mount Package (TSMT3). 4) Pb-free lead plating ; RoHS
rq5e040tn.pdf
RQ5E040TN Datasheet Nch 30V 4A Small Signal MOSFET lOutline l SOT-346T VDSS 30V SC-96 RDS(on)(Max.) 48m TSMT3 ID 4.0A PD 1.0W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance 2) Built-in G-S Protection Diode 3) Small Surface Mount Package (TSMT3) 4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications
rq5e030aj.pdf
RQ5E030AJ Datasheet Nch 30V 3A Middle Power MOSFET lOutline l TSMT3 VDSS 30V RDS(on)(Max.) 75m ID 3.0A (SC-96) PD 1W lInner circuit l lFeatures l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package. 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant lPackaging specifications
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History: SM3319NSQA | IRLR3105TR | 60N10F
History: SM3319NSQA | IRLR3105TR | 60N10F
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Liste
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