RQ5E050AT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RQ5E050AT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.026 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-346T
Búsqueda de reemplazo de RQ5E050AT MOSFET
RQ5E050AT Datasheet (PDF)
rq5e050at.pdf

RQ5E050ATDatasheetPch -30V -5A Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-346TVDSS-30V SC-96RDS(on)(Max.)26m TSMT3ID5.0APD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Small Surface Mount Package (TSMT3)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specificationslEmbossed PackingTape
rq5e035bn.pdf

RQ5E035BNDatasheetNch 30V 3.5A Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS30VRDS(on)(Max.) 37m ID 3.5A PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Built-in G-S Protection Diode.3) Small Surface Mount Package (TSMT3).4) Pb-free lead plating ; RoHS
rq5e040tn.pdf

RQ5E040TNDatasheetNch 30V 4A Small Signal MOSFETlOutlinel SOT-346TVDSS30V SC-96RDS(on)(Max.)48m TSMT3ID4.0APD1.0W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance2) Built-in G-S Protection Diode3) Small Surface Mount Package (TSMT3)4) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications
rq5e030aj.pdf

RQ5E030AJDatasheetNch 30V 3A Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT3VDSS30VRDS(on)(Max.) 75mID 3.0A(SC-96)PD1W lInner circuitllFeaturesl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliantlPackaging specifications
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History: HYG009N04LS1C2 | IXTP50N25T | SI5933CDC | IPL60R199CP | SI5403DC | RF1S4N100SM | 2SK1758
History: HYG009N04LS1C2 | IXTP50N25T | SI5933CDC | IPL60R199CP | SI5403DC | RF1S4N100SM | 2SK1758



Liste
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