SCT3080KL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SCT3080KL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 22 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.104 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247N

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SCT3080KL

SCT3080KL Datasheet (PDF)

..1. Size:903K rohm
sct3080kl.pdf

SCT3080KLN-channel SiC power MOSFET DatasheetOutline TO-247NVDSS1200VRDS(on) (Typ.)80mID31A(3) PD165W (2) (1) Inner circuit(2)Features(1) Gate(2) Drain1) Low on-resistance(3) Source*1(1)2) Fast switching speed*1 Body Diode3) Fast reverse recovery(3)4) Easy to parallelPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tube

0.1. Size:936K rohm
sct3080klhr.pdf

SCT3080KLHRAutomotive Grade N-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247NVDSS1200VRDS(on) (Typ.)80m31AID*1PD (3) 165W(2) (1) lInner circuitlFeatures(1) Gate 1) Qualified to AEC-Q101(2) Drain (3) Source 2) Low on-resistance*Body Diode 3) Fast switching speed4) Fast reverse recoveryPlease note Driver Source and Power Source are5) Easy to p

9.1. Size:1018K rohm
sct3060al.pdf

SCT3060ALN-channel SiC power MOSFET Data SheetlOutline TO-247NVDSS650VRDS(on) (Typ.)60mWID39A(3) PD165W (2) (1) lInner circuitlFeatures(1) Gate (2) Drain 1) Low on-resistance(3) Source 2) Fast switching speed*1 Body Diode 3) Fast reverse recovery4) Easy to parallellPackaging specifications5) Simple to drivePacking Tube6) Pb-free lead plating

9.2. Size:1202K rohm
sct3060ar.pdf

SCT3060ARN-channel SiC power MOSFET DatasheetlOutlineTO-247-4LVDSS650VRDS(on) (Typ.)60m39AID*1PD165W(1) (2)(3)(4) lInner circuitlFeatures1) Low on-resistance2) Fast switching speed3) Fast reverse recovery4) Easy to parallelPlease note Driver Source and Power Source are5) Simple to drivenot exchangeable. Their exchange might lead tomalfunction.6) P

9.3. Size:242K inchange semiconductor
sct3060.pdf

isc N-Channel SiC SMOSFET Transistor SCT3060FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)78mFast switching speedFast reverse recovery100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDC/DC convertersSwitch mode power suppliesABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: