SCT3160KL Todos los transistores

 

SCT3160KL MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SCT3160KL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 22 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 41 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.208 Ohm

Encapsulados: TO-247N

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SCT3160KL datasheet

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SCT3160KL

SCT3160KL N-channel SiC power MOSFET Datasheet Outline TO-247N VDSS 1200V RDS(on) (Typ.) 160m ID 17A (3) PD 103W (2) (1) Inner circuit (2) Features (1) Gate (2) Drain 1) Low on-resistance (3) Source *1 (1) 2) Fast switching speed *1 Body Diode 3) Fast reverse recovery (3) 4) Easy to parallel Packaging specifications 5) Simple to drive Packing Tub

 9.1. Size:897K  rohm
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SCT3160KL

SCT3120AL N-channel SiC power MOSFET Datasheet Outline TO-247N VDSS 650V RDS(on) (Typ.) 120m ID 21A (3) PD 103W (2) (1) Inner circuit (2) Features (1) Gate (2) Drain 1) Low on-resistance (3) Source *1 (1) 2) Fast switching speed *1 Body Diode 3) Fast reverse recovery (3) 4) Easy to parallel Packaging specifications 5) Simple to drive Packing Tube

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