SP8M24FRA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8M24FRA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 45 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Encapsulados: SOP8
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SP8M24FRA datasheet
sp8m24fra.pdf
SP8M24FRA Datasheet 45V Nch+Pch Power MOSFET lOutline l Tr1 Nch Tr2 Pch Symbol VDSS 45V -45V SOP8 RDS(on)(Max.) 46m 63m ID 4.5A 3.5A PD 2.0W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance 2) Small Surface Mount Package (SOP8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen Free 5) AEC-Q101 Qualified lPa
sp8m21fra.pdf
SP8M21 SP8M21FRA Transistors AEC-Q101 Qualified 4V Drive Nch+Pch MOSFET SP8M21 SP8M21FRA Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET / SOP8 Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small and surface mount package (SOP8). Each lead has same dimensions Applications Switching Package specifications Inn
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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