SP8M24FRA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SP8M24FRA
Código: SP8M24
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 45 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 6.8 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 140 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.046 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SP8M24FRA
SP8M24FRA Datasheet (PDF)
sp8m24fra.pdf
SP8M24FRADatasheet45V Nch+Pch Power MOSFETlOutlinelTr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 45V -45V SOP8RDS(on)(Max.) 46m 63mID 4.5A 3.5APD 2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance2) Small Surface Mount Package (SOP8)3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant4) Halogen Free5) AEC-Q101 QualifiedlPa
sp8m21fra.pdf
SP8M21SP8M21FRATransistorsAEC-Q101 Qualified4V Drive Nch+Pch MOSFETSP8M21SP8M21FRA Structure Dimensions (Unit : mm)Silicon N-channel MOSFET / SOP8Silicon P-channel MOSFET Features 1) Low on-resistance. 2) Built-in G-S protection diode. 3) Small and surface mount package (SOP8). Each lead has same dimensions ApplicationsSwitching Package specifications Inn
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