UT6MA3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UT6MA3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.042 Ohm
Paquete / Cubierta: DFN2020-8D
Búsqueda de reemplazo de UT6MA3 MOSFET
UT6MA3 Datasheet (PDF)
ut6ma3.pdf

UT6MA3Datasheet20V Nch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel DFN2020-8DSymbol Tr1:Nch Tr2:PchVDSS 20V -20VRDS(on)(Max.) 42m 59mID 5.5A 5.0A HUML2020L8PD 2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package.3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackag
Otros transistores... SCT2750NY , SCT2H12NZ , SCT3080KL , SCT3080KLHR , SCT3120AL , SCT3160KL , SP8M24FRA , UM5K1N , STF13NM60N , OSG55R074HSZF , OSG55R140HF , OSG55R160FZF , OSG60R180FF , OSG60R180PSF , OSG60R180FSF , OSG60R180ISF , OSG60R180HSF .
History: FDP80N06 | AP4800GM | FQD10N20L | AP75T10BGP | SM4026NSUC | SST406 | FDMS9620S
History: FDP80N06 | AP4800GM | FQD10N20L | AP75T10BGP | SM4026NSUC | SST406 | FDMS9620S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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