OSG65R380FEF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R380FEF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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OSG65R380FEF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R1K4FF , OSG65R1K4PF , OSG65R260FSF_NB , OSG65R290DEF , OSG65R290FEF , OSG65R290KEF , OSG65R360DTF , OSG65R380DEF , AO3407 , OSG65R580DEF , OSG65R900DTF , OSG70R600FF , OSG70R750DF , OSG80R1K4DF , OSG80R250FF , SFG08R06DF , SFG100N08PF .
History: WSP4812 | SMG2398N | APT50M65LLLG | STW56NM60N | DMN3009LFVW-7 | WSP4807 | WMB048NV6LG4
History: WSP4812 | SMG2398N | APT50M65LLLG | STW56NM60N | DMN3009LFVW-7 | WSP4807 | WMB048NV6LG4



Liste
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MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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