OSG70R750DF Datasheet. Equivalente

Número de Parte: OSG70R750DF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm

Encapsulados: TO252