SFS06R06DF Todos los transistores

 

SFS06R06DF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFS06R06DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 87 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 332 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de SFS06R06DF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFS06R06DF datasheet

 ..1. Size:879K  oriental semi
sfs06r06df.pdf pdf_icon

SFS06R06DF

 6.1. Size:895K  oriental semi
sfs06r06lgf.pdf pdf_icon

SFS06R06DF

 6.2. Size:883K  oriental semi
sfs06r06ugf.pdf pdf_icon

SFS06R06DF

 6.3. Size:867K  oriental semi
sfs06r06gf.pdf pdf_icon

SFS06R06DF

Otros transistores... OSG70R750DF , OSG80R1K4DF , OSG80R250FF , SFG08R06DF , SFG100N08PF , SFG10S10PF , SFS06R03DF , SFS06R03PF , IRF840 , SFS06R06PF , F501D , PIP8205-S8 , PIP8205-Z6 , PSA04N65B , PSA06N40 , PSP06N40 , PSA07N65 .

History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

 

 

 


History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10

 

 

 

Popular searches

d882 | irf740 datasheet | ksa992 | irfb4227 | irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet

 

 

↑ Back to Top
.