PTA26N65 Todos los transistores

 

PTA26N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTA26N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 82 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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PTA26N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11958K  pipsemi
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PTA26N65

PTA26N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 650V 280m 26A RDS(ON),typ.=280 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package

 7.1. Size:11840K  pipsemi
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PTA26N65

PTA26N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 600V 250m 26A RDS(ON),typ.=250 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

 8.1. Size:12121K  pipsemi
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PTA26N65

PTA26N70 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Advanced Planar Process 700V 350m 26A RDS(ON),typ.=350 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Rugged Poly silicon Gate Structure Applications BLDC Motor Driver Electric Welder High Efficiency SMPS G D S Ordering Information Part Number Package Brand TO-220F Package P

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History: FTK5N80P | DHI9Z24 | DHS015N06 | APT47N60BC3G | 2SK2386 | DHS008N04P | JMSL1018AP

 

 
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