PTP02N03N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PTP02N03N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP02N03N

PTP02N03N Datasheet (PDF)

..1. Size:502K pipsemi
ptp02n03n.pdf

PTP02N03N 30V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 30V 2.6m 120A RDS(ON),typ.=2.6 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters G Motor Bridge Switch D S Oring FET/Load Switching TO-220 Ordering Informatio

7.1. Size:378K pipsemi
ptp02n04n.pdf

PTP02N04N40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID[2] Proprietary New Trench Technology 40V 1.6m 280A RDS(ON),typ.=1.6 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS InverterOrdering Information Part Number Package B

7.2. Size:773K pipsemi
ptp02n04nb.pdf

PTP02N04NB 40V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 40V 1.65m 245A RDS(ON),typ.=1.65 m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification G UPS Inverter D S Ordering Information TO-220

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Liste

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