PTA15N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTA15N50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 210 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.45 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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PTA15N50 Datasheet (PDF)
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PTP15N50 PTA15N50 500V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology500V 0.33 15A RDS(ON),typ.=0.33 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Bran
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