PTP16N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTP16N65
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 54 nC
Tiempo de subida (tr): 52 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 218 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.55 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PTP16N65
PTP16N65 Datasheet (PDF)
ptp16n65 pta16n65.pdf
PTP16N65 PTA16N65 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.45 16A RDS(ON),typ.=0.45 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N65 TO-220 PTA16N
ptp16n60 pta16n60.pdf
PTP16N60 PTA16N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology600V 0.41 16A RDS(ON),typ.=0.41 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor Charger SMPS Power Supply LCD Panel Power Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N60
ptp16n06n ptl16n06n.pdf
PTP16N06N PTL16N06N 60V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Trench Technology 60V 13.5m 55A RDS(ON),typ.=13.5 m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Automotive DC Motor Control Class D Amplifier Ordering Information Part Number Package Brand PTP16N
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