PTP20N60A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PTP20N60A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 230 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.45 Ohm

Encapsulados: TO-220

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PTP20N60A datasheet

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PTP20N60A

PTP20N60A PTA20N60A 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.32 20A RDS(ON),typ.=0.32 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor G D S Other Applications G D S Ordering Information TO-220 TO-220F Part Number Pa

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PTP20N60A

PTP20N60 PTA20N60 600V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 600V 0.35 20A RDS(ON),typ.=0.35 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications CRT,TV/Monitor Other Applications Ordering Information Part Number Package Brand PTP20N60 TO-220 PTA20N60 TO-2

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PTP20N60A

PTP20N65A PTA20N65A 650V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 650V 0.38 20A RDS(ON),typ.=0.38 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G TV Main Power D S G D SMPS Power Supply S LCD Panel Power TO-220 TO-220F Ordering Information Packa

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PTP20N60A

PTP20N70A PTA20N70A 700V N-Channel MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),typ. ID Proprietary New Planar Technology 700V 0.50 20A RDS(ON),typ.=0.50 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor TV Main Power G G SMPS Power Supply D D S S LCD Panel Power TO-220 TO-220F Ordering Information P

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