RU3080L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU3080L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 93 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 58 nC
Tiempo de subida (tr): 30 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 320 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RU3080L
RU3080L Datasheet (PDF)
ru3080l.pdf
RU3080L N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 30V/90A, RDS (ON) =2.6m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested TO-252 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) Applications DC-DC Converters N-Channel MOSFET Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Rating U
ru3089m.pdf
RU3089MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 30V/90A,RDS (ON) =2.4m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =3m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters Load switchG
ru3089l.pdf
RU3089LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 30V/89A,RDS (ON) =3.8m (Typ.)@VGS=10VRDS (ON) =5m (Typ.)@VGS=4.5V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Switching Application SystemsN-Channel MOSFETAbsolute Maximum
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