RU40C40L4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU40C40L4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
Búsqueda de reemplazo de RU40C40L4 MOSFET
RU40C40L4 Datasheet (PDF)
ru40c40l4.pdf

RU40C40L4Complementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-ChannelD1/D240V/40A,RDS (ON) =13m(Typ.) @ VGS=10VRDS (ON) =16m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-40V/-40A,RDS (ON) =16m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =25m (Typ.) @ VGS=-4.5VS1G1 Fast Switching Speed S2G2 Low gate Charge ESD protectedTO252-4L Lead Free and Green Devices A
ru40c40m.pdf

RU40C40MComplementary Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description N-Channel40V/40A,RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=10VD2D2RDS (ON) =17m(Typ.) @ VGS=4.5V D1D1 P-Channel-40V/-40A,40V/ 40ARDS (ON) =21m (Typ.) @ VGS=-10VRDS (ON) =30m (Typ.) @ VGS=-4.5VG2 Fast Switching SpeedG1S2pin1S1 ESD Protected Low gate ChargePDFN5060 Lead Free
ru40c20m3.pdf

RU40C20M3Complementary Advanced Power MOSFETF t Pi D i tiFeatures Pin Description N-Channel40V/20A, G2RDS (ON) =12m(Typ.) @ VGS=10V G1S2S1RDS (ON) =15m(Typ.) @ VGS=4.5V P-Channel-40V/-20A,40V/ 20A,RDS (ON) =35m (Typ.) @ VGS=-10VD2RDS (ON) =43m (Typ.) @ VGS=-4.5VD1D2D1 Uses Ruichips Advanced TrenchTM Technologypin1 Ultra Low On-Resist
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History: NTP6413ANG | SI6423DQ
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