RU6070L-A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU6070L-A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 45 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de RU6070L-A MOSFET
RU6070L-A Datasheet (PDF)
ru6070l-a.pdf

RU6070L-AN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 60V/70A,D RDS (ON) =6.8m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche tested Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)GSTO252DApplications Power Management. Switch Applications.G Load switchSN-Channel MOSFETAbsolut
ru6070l.pdf

RU6070LN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/70A,RDS (ON) =6m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-252 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications DC-DC Converters and Off-line UPSN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rat
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RU6075RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 60V/90A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V Super High Dense Cell Design Ultra Low On-Resistance 100% avalanche testedTO-220 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications Power SuppliesN-Channel MOSFETAbsolute Maximum RatingsSymbolParameter Rating UnitCommon
Otros transistores... RU30D20M2 , RU30D20M3 , RU30J30M , RU30L70L , RU30S15H , RU40190R , RU40191S , RU40C40L4 , 5N60 , RU6085H , RU6199S , RU6888 , RU7080R , RU7080S , RU7088R , RU75N08 , RU75N08L .



Liste
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