RU75N08L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RU75N08L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 158 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 75 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 75 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 450 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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RU75N08L Datasheet (PDF)
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RU75N08RN-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/80A,RDS (ON) =8m (Typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche RatedTO-220 100% avalanche tested 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application SystemsN-Channel MO
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RU75N08S N-Channel Advanced Power MOSFET Features Pin Description 75V/80A, RDS (ON) =8m (typ.) @VGS=10V Ultra Low On-Resistance Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche tested TO-263 175C Operating Temperature Lead Free and Green Available Applications Switching Application Systems N-Chan
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RU75N08N-Channel Advanced Power MOSFETMOSFETFeatures Pin Description 75V/80A,RDS (ON) =8m VGS=10V IDS=40A Ultra Low On-ResistanceTO-220 TO-220F Exceptional dv/dt capability Fast Switching and Fully Avalanche Rated 100% avalanche testedTO-263 TO-247 175C Operating Temperature Lead Free and Green AvailableApplications Switching Application
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