RUH40140M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RUH40140M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 126 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 140 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 59 nC
Tiempo de subida (tr): 26 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1580 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0018 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5060
Búsqueda de reemplazo de MOSFET RUH40140M
RUH40140M Datasheet (PDF)
ruh40140m.pdf
RUH40140MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/140A,RDS (ON) =1.4m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =1.9m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power
ruh40130m.pdf
RUH40130MN-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/130A,RDS (ON) =1.9m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =2.7m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN5060DApplications DC/DC Converters On board power
ruh4040m2.pdf
RUH4040M2N-Channel Advanced Power MOSFETFeatures Pin Description 40V/40A,RDS (ON) =5.5m(Typ.)@VGS=10V DDDDRDS (ON) =8m(Typ.)@VGS=4.5V Ultra Low On-Resistance Fast Switching Speed 100% avalanche testedG Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)SSSPIN1PIN1PDFN3333DApplications DC/DC Converters On board power for
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