SIF5N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIF5N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Encapsulados: TO-251 TO251S TO252 TO252T
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SIF5N65F datasheet
sif5n65c.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF5N65C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET SIF5N65C N- MOS / N-CHANN
sif5n60c 1.pdf
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History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
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Liste
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