STW15N50 Todos los transistores

 

STW15N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW15N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW15N50 datasheet

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STW15N50

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STW15N50

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STW15N50

STF15NM65N-STI15NM65N-STW15NM65N STB15NM65N-STP15NM65N N-channel 650V - 0.25 - 15.5A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) Max ID (@Tjmax) 3 2 3 1 2 1 STB15NM65N 710 V

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STW15N50

STP15NK50Z/FP - STB15NK50Z STB15NK50Z-1 - STW15NK50Z N-channel 500V - 0.30 - 14A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw 3 STP15NK50Z 500V

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