PNM523T30V01 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PNM523T30V01
   Código: P5N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 0.5(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PNM523T30V01

PNM523T30V01 Datasheet (PDF)

..1. Size:1557K prisemi
pnm523t30v01.pdf

PNM523T30V01N-Channel MOSFETDescriptionPNM523T30V01 is designed for high speed switching applicationsThe enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance.D3MOSFET Product SummaryV (V) R () V (V) I (A)DS DS(on) GS(th) D30 7@ V =2.5V,I =10mA 0.5 to 1.5 0.1GS DG1S2Electrical characteristics per line@25( unless otherwise spec

7.1. Size:142K prisemi
pnm523t703e0-2.pdf

PNM523T703E0-2 N-Channel MOSFET Description PNM523T703E0-2 is designed for high speed switching applications The enhancement mode MOS is extremely high density cell and low on-resistance. D3 MOSFET Product Summary VDS(V) RDS(on)() VGS(th)(V) ID(A) G1 40 2.0@ VGS=10V 0.5 to 1.3 0.18 S2 Electrical characteristics per line@25( unless otherwise specifi

7.2. Size:202K prisemi
pnm523t201e0.pdf

PNM523T201E0 N-Channel MOSFET Description The MOSFET provide the best combination of fast switching, D3 low on-resistance and cost-effectiveness. MOSFET Product Summary V (V) R ( ) I (A) DS DS(on) D0.2@ V =4.5V GSG1 20 0.25@ VGS=2.5V 1 0.31@ V =1.8V GSS2Absolute maximum rating@25 Parameter Symbol Value Units Drain-Source Voltage V 20

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Liste

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