PJV1702 Todos los transistores

 

PJV1702 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PJV1702
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.15 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-723
 

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PJV1702 Datasheet (PDF)

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PJV1702

PPJV1702 20V N-Channel MOSFET SOT-723 Unit : inch(mm) 20 V 0.65 A Voltage Current Features Switching with Low RDS(ON) Lead free in compliance with EU RoHS 2011/65/EU directive Green molding compound as per IEC61249 Std. (Halogen Free) Mechanical Data Case: SOT-723 Package Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Approx. Weight: 0.

Otros transistores... PJA3419 , PJA3439 , PJA3441 , PJA3460 , PJL9418 , PJQ1900 , PJQ5476AL , PJS6403 , 20N60 , PJW4N06A , PJW4N06A-AU , PJW7N06A , PJX8808 , PPJA3401A , PPJD50N10AL , PPJQ5494 , PPJT7600 .

History: AM3922N | SI1046R | STD30NF06L-1 | APT75F50B2 | CSFR2N60D | IRF1010ZS | SI2311DS

 

 
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