PTF4N65 Todos los transistores

 

PTF4N65 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTF4N65
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de PTF4N65 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PTF4N65 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3237K  cn puolop
 ptp4n65 ptf4n65.pdf pdf_icon

PTF4N65

PTP4 N65 /PTF4 N6565 0V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Funct

 8.1. Size:1946K  cn puolop
 ptp4n60 ptf4n60.pdf pdf_icon

PTF4N65

PTP4 N60/PTF4 N60600V/4 A N-Channel A dv anced Power MOSFETFeatures RDS(on) (Typical 2.6 )@VGS=10V Improved dv/dt Capability, High Ruggedness 100% Avalanche Tested Maximum Junction Temperature Range (150C)G D S G D STO-220 TO-220FAbsolute Maximum RatingsStresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functio

Otros transistores... PDS4906 , PDS4909 , PDS6903 , PDS6904 , PDS6910 , PMEB2516P , PMEN2423S , PTP4N65 , 50N06 , PTP80N06 , PTY80N06 , PTP80N60 , PTY80N60 , PTP88N07 , PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 .

History: STD4N90K5 | NCE0130A | SML5025AN | FW201 | KNP3508A

 

 
Back to Top

 


 
.