PTP88N07 Todos los transistores

 

PTP88N07 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PTP88N07
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 174 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 65 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 88 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 76 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 430 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

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PTP88N07 Datasheet (PDF)

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ptp88n07 pty88n07.pdf

PTP88N07
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PTP88N07/PTY88N0765V/88A N-Chnnel MOSFETFeaturesD 65V/88ARDS(ON)=7.0m @ VGS=10V G Lead free and Green Device Available Low Rds-on to Minimize Conductive Loss S High avalanche Current D% 100 Avalanche TestedApplicationG S Power SupplyTO-220 TO-263 DC-DC Converters UPS Battery Manageme ent System Absolute Maxim

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