PTS4936 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTS4936
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.031 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de PTS4936 MOSFET
PTS4936 Datasheet (PDF)
pts4936.pdf

PTS4936 30V/5.8A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Pin Description Features BVDSS30V, RDS(ON)=23m(Typ)@VGS=10V Low On-Resistance Fast Switching Lead-Free,Hg-Free, Green Product PTS4936PTS4936PTS4936 designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These
Otros transistores... PTY88N07 , PTP90N08 , PTY90N08 , PTQ45P02 , PTS2017 , PTS4614 , PTS4803 , PTS4842 , IRFP250N , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , SK04N65B , SK07N65B , SK07N65B-TF , SK2300A .
History: NDB603AL | IRF5806 | STB200N4F3 | HY1506I | AOD3T40P | IPI65R280E6 | IPL65R650C6S
History: NDB603AL | IRF5806 | STB200N4F3 | HY1506I | AOD3T40P | IPI65R280E6 | IPL65R650C6S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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