PTS4936 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PTS4936
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 5.2 nC
Tiempo de subida (tr): 2.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.031 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
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PTS4936 Datasheet (PDF)
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PTS4936 30V/5.8A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Pin Description Features BVDSS30V, RDS(ON)=23m(Typ)@VGS=10V Low On-Resistance Fast Switching Lead-Free,Hg-Free, Green Product PTS4936PTS4936PTS4936 designed by the trench processing techniques to achieve extremely low on-resistance. And fast switching speed and improved transfer effective . These
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