A03415 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: A03415
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.2 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
Encapsulados: SC59
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A03415 datasheet
a03415.pdf
A03415 P-Channel Enhancement Mode MOSFET -25V/-4.2A, RDS(ON) =130m (MAX) @VGS = -10V. RDS(ON) = 150m (MAX) @VGS = -4.5V. RDS(ON) =180m (MAX) @VGS = -2.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) Reliable and Rugged SC-59 for Surface Mount Package Applications Power Management Portable Equipment and Battery Powered Systems. 1 Gate 2 Source
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History: APT48M80B2 | WMR07P03TS | RW1E025RP | ME7839S-G | IPD70R600CE | APT10035JFLL | AP3C023AMT
History: APT48M80B2 | WMR07P03TS | RW1E025RP | ME7839S-G | IPD70R600CE | APT10035JFLL | AP3C023AMT
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MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
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