SK07N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK07N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SK07N65B
SK07N65B Datasheet (PDF)
sk07n65b.pdf
SK07N65B650V N-ch Planar MOSFET BVDSS RDS(ON),Typ. ID General Features 650V 1.2 7.0A RoHS Compliant RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-252 Part Number PackageSK07N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings =25 unle
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Liste
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