SK07N65B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK07N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 126 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SK07N65B Datasheet (PDF)
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SK07N65B650V N-ch Planar MOSFET BVDSS RDS(ON),Typ. ID General Features 650V 1.2 7.0A RoHS Compliant RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-252 Part Number PackageSK07N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings =25 unle
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
