SK07N65B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SK07N65B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 126 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Encapsulados: TO252
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SK07N65B datasheet
sk07n65b.pdf
SK07N65B 650V N-ch Planar MOSFET BVDSS RDS(ON),Typ. ID General Features 650V 1.2 7.0A RoHS Compliant RDS(ON),typ.=1.2 @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications Adaptor G Charger D SMPS Standby Power S Ordering Information TO-252 Part Number Package SK07N65B TO-252 Absolute Maximum Ratings =25 unle
Otros transistores... PTS4803 , PTS4842 , PTS4936 , A03415 , APM2301AAC , APM2324A , SDW3045 , SK04N65B , IRF630 , SK07N65B-TF , SK2300A , SK2301A , SK2301AA , SK2302A , SK2302AA , SK2302AAT , SK2304AA .
History: AOTF7S65 | 2SK1009 | SMY52
History: AOTF7S65 | 2SK1009 | SMY52
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