SK2302AAT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SK2302AAT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SK2302AAT

SK2302AAT Datasheet (PDF)

..1. Size:719K cn shikues
sk2302aat.pdf

SK2302AATSOT-523 Plastic-Encapsulate MOSFETSFEATURE TrenchFET Power MOSFET APPLICATIONS Load Switch for Portable Devices DC/DC Converter SOT523 MARKING: 2302 1. GATE 2. SOURCE 3. DRAIN Maximum ratings (T a =25 unless otherwise noted) Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS 8 Continuous Drain Current ID 2.1

6.1. Size:318K cn shikues
sk2302aa.pdf

SK2302AASOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Trench FET Power MOSFET MARKING: A2SHBMAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value UnitsVDS Drain-Source voltage 20 V VGS Gate-Source voltage 10 VID Drain current 2.9 A PD Power Dissipation 1 W Tj Junction Temperature 150 Tstg Storage Temperature -55-150 ELECTRICAL CHARACTER

7.1. Size:849K cn shikues
sk2302a.pdf

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sk2306.pdf

SK2306N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The 2306 uses advanced trench technology to provide SKexcellent RDS(ON) and low gate charge .This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. DGeneral Features VDS = 30V,ID = 3.6A GRDS(ON)

9.2. Size:813K cn shikues
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