SSF50R240S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSF50R240S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 34 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 18 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 11 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 340 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.24 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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SSF50R240S Datasheet (PDF)
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SUPER-SEMI SUPER-MOSFET Super Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 500V Super Junction Power Transistor SS*50R240S Rev. 1.2 May. 2018 www.supersemi.com.cn September, 2013 SJ-FET SSF50R240S/SSP50R240S/SSW50R240S/SSA50R240S 500V N-Channel MOSFET Description Features SJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family that Multi-Epi proce
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SUPER-SEMISUPER-MOSFETSuper Junction Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor500V Super Junction Power MOSFET With Fast-Recovery SS*50R140SFDRev. 1.0Nov. 2023www.supersemi.com.cnSSF50R140SFD/SSP50R140SFD500V N-Channel Super-Junction MOSFETWith Fast-RecoveryFeaturesDescription Multi-Epi process SJ-FETSJ-FET is new generation of high voltage MOSFET family
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