SWF12N70D Todos los transistores

 

SWF12N70D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWF12N70D
   Código: SW12N70D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 154 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.87 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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SWF12N70D Datasheet (PDF)

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SWF12N70D

SW12N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220FT TO-220SF Features TO-220F TO-262 BVDSS : 700V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) : 0.75 Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 3 3 3 Application:LED, PC Power, Char

 ..2. Size:997K  samwin
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SWF12N70D

SW12N70D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220SF/TO-220FT MOSFET TO-220FT TO-220SF Features TO-220F TO-262 BVDSS : 700V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.75)@VGS=10V RDS(ON) : 0.75 Low Gate Charge (Typ 47nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 2 3 3 3 3 Application:LED, PC Power,

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SWF12N70D

SW12N60D N-channel Enhanced mode TO-220F MOSFET TO-220F Features BVDSS : 600V ID : 12A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 48nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 2 Application: UPSInverterPC-POWER 3 1 3 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description This power

 8.2. Size:1141K  samwin
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SWF12N70D

SW12N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-262/TO-220/TO-263 MOSFET Features TO-220F TO-262 TO-220 TO-263 BVDSS : 650V High ruggedness ID : 12A Low RDS(ON) (Typ 0.7)@VGS=10V RDS(ON) : 0.7 Low Gate Charge (Typ 45nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 1 1 1 2 2 2 2 3 Application:Charger,LED,PC Power 3 3 3 1. Gate 2.

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History: NIC9N05TS1 | IRFR214PBF | SRT04N016L | SSFD3004 | IPLU300N04S4-R8

 

 
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