SWH15P02 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWH15P02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Encapsulados: DFN3X3
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SWH15P02 datasheet
swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf
SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1
sw15p02 swi15p02 swd15p02 swh15p02 swha15p02.pdf
SW15P02 P-channel Enhanced mode TO-251/TO-252/DFN3*3/DFN5*6 MOSFET Features BVDSS -20V TO-251 TO-252 DFN3*3 DFN5*6 High ruggedness ID -15A Low RDS(ON) (Typ 9.4m )@VGS=-4.5V Low RDS(ON) (Typ 8.1m )@VGS=-10V RDS(ON) 9.4m @VGS=-4.5V Low Gate Charge (Typ 91nC) 8.1m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 1
swk15p03 swh15p03.pdf
SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=-10V RDS(ON) 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App
sw15p03 swk15p03 swh15p03.pdf
SW15P03 P-channel Enhanced mode SOP-8/DFN3*3 MOSFET Features BVDSS -30V SOP-8 DFN3*3 High ruggedness ID -15A D Low RDS(ON) (Typ 14m )@VGS=-4.5V D D Low RDS(ON) (Typ 10m )@VGS=-10V RDS(ON) 14m @VGS=-4.5V D G Low Gate Charge (Typ 48nC) S 10m @VGS=-10V Improved dv/dt Capability S S 100% Avalanche Tested D App
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Liste
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