SWD350R06VT Todos los transistores

 

SWD350R06VT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWD350R06VT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm

Encapsulados: TO-252

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SWD350R06VT datasheet

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SWD350R06VT

SW350R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS 60V ID 24A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 37m )@VGS=4.5V RDS(ON) 37m @VGS=4.5V (Typ 32m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 32m @VGS=10V 1 1 Improved dv/dt Capability 2 2 3 3 2 100% Avalanche Tested Application DC-DC Converter, 1.Gat

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SWD350R06VT

SW350R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252 MOSFET Features SOP-8 TO-251 TO-252 BVDSS 60V High ruggedness 5 SOP8 ID 5A 6 SOP-8 Low RDS(ON) 7 8 RDS(ON) 38m @VGS=4.5V (Typ 38m )@VGS=4.5V 4 3 (Typ 33m )@VGS=10V 2 33m @VGS=10V 1 TO-251&TO-252 Low RDS(ON) 1 1 2 2 (Typ 37m )@VGS=4.5V TO-251 & TO-252 ID 24A 3

 ..3. Size:937K  samwin
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SWD350R06VT

SW350R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252 MOSFET Features SOP-8 TO-251 TO-252 BVDSS 60V High ruggedness 5 SOP8 ID 5A 6 SOP-8 Low RDS(ON) 7 8 RDS(ON) 38m @VGS=4.5V (Typ 38m )@VGS=4.5V 4 3 (Typ 33m )@VGS=10V 2 33m @VGS=10V 1 TO-251&TO-252 Low RDS(ON) 1 1 2 2 (Typ 37m )@VGS=4.5V TO-251 & TO-252 ID 24A 3

Otros transistores... SWF18N50D , SWT18N50D , SWF18N65D , SWT18N65D , SWF20N60K , SWF20N65K2 , SWK350R06VT , SWI350R06VT , IRF730 , SWT38N65KF , SWT47N65K2 , SWI4N60DC , SWD4N60DC , SWF4N65D , SWN4N65D , SWSI4N65D , SWMI4N65D .

History: HM1060E | STW9NK70Z

 

 

 

 

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