SWD350R06VT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SWD350R06VT
   Código: SW350R06VT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 66 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252

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SWD350R06VT Datasheet (PDF)

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SW350R06VT N-channel Enhanced mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 60V ID : 24A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 37m)@VGS=4.5V RDS(ON) : 37m@VGS=4.5V (Typ 32m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 21nC) 32m@VGS=10V 1 1 Improved dv/dt Capability 2 2 3 3 2 100% Avalanche Tested Application: DC-DC Converter, 1.Gat

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SW350R06VT N-channel Enhanced mode SOP-8/TO-251/TO-252 MOSFET Features SOP-8 TO-251 TO-252 BVDSS : 60V High ruggedness 5 SOP8 ID : 5A 6 SOP-8 Low RDS(ON) 7 8 RDS(ON) : 38m@VGS=4.5V (Typ 38m)@VGS=4.5V 4 3 (Typ 33m)@VGS=10V 2 33m@VGS=10V 1 TO-251&TO-252 Low RDS(ON) 1 1 2 2 (Typ 37m)@VGS=4.5V TO-251 & TO-252 ID : 24A 3

..3. Size:937K samwin
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