SWT38N65KF Todos los transistores

 

SWT38N65KF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWT38N65KF
   Código: SW38N65KF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 99 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.118 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SWT38N65KF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:707K  samwin
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SWT38N65KF

SW38N65KF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 38A High ruggedness RDS(ON) : 95m Low RDS(ON) (Typ 95m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 99nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application:LED, UPS, Charge, Servicer 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

 ..2. Size:621K  samwin
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SWT38N65KF

SW38N65KF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 38A High ruggedness RDS(ON) : 95m Low RDS(ON) (Typ 95m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 99nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application:LED, UPS, Charger, Servicer 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This

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SWT38N65KF

SW38N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS : 650V Features ID : 38A High ruggedness RDS(ON) : 79m Low RDS(ON) (Typ 79m)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 71nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: Charger, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

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SWT38N65KF

SW38N65K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS : 650V ID : 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.09)@VGS=10V RDS(ON) :0.09 Low Gate Charge (Typ 96nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application:ChargerLEDUPSServicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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History: MTE050N15BRV8 | IRF5805TRPBF | NCEP036N10MSL

 

 
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