SWT38N65KF Todos los transistores

 

SWT38N65KF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWT38N65KF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 313 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 127 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.118 Ohm

Encapsulados: TO247

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SWT38N65KF datasheet

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SWT38N65KF

SW38N65KF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 38A High ruggedness RDS(ON) 95m Low RDS(ON) (Typ 95m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 99nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application LED, UPS, Charge, Servicer 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This p

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SWT38N65KF

SW38N65KF N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 38A High ruggedness RDS(ON) 95m Low RDS(ON) (Typ 95m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 99nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 2 100% Avalanche Tested 3 Application LED, UPS, Charger, Servicer 1 1. Gate 2. Drain 3. Source General Description 3 This

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SWT38N65KF

SW38N65K2 N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET TO-247 BVDSS 650V Features ID 38A High ruggedness RDS(ON) 79m Low RDS(ON) (Typ 79m )@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 71nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger, LED , Servicer, UPS 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This

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SWT38N65KF

SW38N65K N-channel Enhanced mode TO-247 MOSFET Features TO-247 BVDSS 650V ID 38A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 0.09 )@VGS=10V RDS(ON) 0.09 Low Gate Charge (Typ 96nC) Improved dv/dt Capability 2 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application Charger LED UPS Servicer 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description

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