SWD4N60DC Todos los transistores

 

SWD4N60DC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SWD4N60DC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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SWD4N60DC Datasheet (PDF)

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SWD4N60DC

SW4N60DCN-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFETFeaturesTO-251 TO-252 BVDSS : 600VID : 4A High ruggedness RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10VRDS(ON) : 2.0 Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 121 2 100% Avalanche Tested2 33 Application: LED,Charge11. Gate 2. Drain 3. Source3General DescriptionThis power MOSFET is produce

 ..2. Size:610K  samwin
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SWD4N60DC

SW4N60DC N-channel Enhancement mode TO-251/TO-252 MOSFET Features TO-251 TO-252 BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 2.0)@VGS=10V RDS(ON) : 2.0 Low Gate Charge (Typ 17nC) Improved dv/dt Capability 1 1 2 2 100% Avalanche Tested 2 3 3 Application: LED,Charger 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Descrip

 6.1. Size:851K  samwin
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SWD4N60DC

SW4N60DA N-channel Enhanced mode TO-252/TO-220F/TO-251S MOSFET Features TO-252 TO-220F TO-251S BVDSS : 600V ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ3.35)@VGS=10V RDS(ON) : 3.35 Low Gate Charge (Typ 9.6nC) Improved dv/dt Capability 2 1 1 100% Avalanche Tested 1 2 2 2 3 3 Application:DC-DC,LED 3 1 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 6.2. Size:916K  samwin
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SWD4N60DC

SW4N60D N-channel Enhancement mode TO-220F/TO-220FT/TO-251/S/M/TO-252 MOSFET Features BVDSS : 600V TO-251S TO-251M TO-252 TO-220F TO-220FT TO-251 ID : 4A High ruggedness Low RDS(ON) (Typ 1.9) RDS(ON) : 1.9 @VGS=10V Low Gate Charge (Typ 18nC) 1 1 1 2 1 1 2 1 2 2 2 3 Improved dv/dt Capability 2 3 3 2 3 3 3 100% Avalanche T

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History: SWF830D1 | NP33N075YDF | FDB2710 | NP110N03PUG | TK8R2A06PL | SSB80R240SFD | IRLSL4030PBF

 

 
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