SWB4N65D Todos los transistores

 

SWB4N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SWB4N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 69 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.6 Ohm

Encapsulados: TO-263

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SWB4N65D datasheet

 ..1. Size:1049K  samwin
 swf4n65d swn4n65d swsi4n65d swmi4n65d swui4n65d swd4n65d sws4n65d swb4n65d swp4n65d swmqi4n65d.pdf pdf_icon

SWB4N65D

SW4N65D SW4N65D N-channel Enhanced mode TO-220F/TO-251N/TO-251S/TO-251M/TO-251U/ TO-252/SOT-82/TO-263 /TO-220/TO-251MQ MOSFET Features TO-220F TO-251M TO-251U TO-251N TO-251S BVDSS 650V High ruggedness ID 4A Low RDS(ON) (Typ 2 )@VGS=10V 1 1 1 1 1 2 2 2 Low Gate Charge (Typ 18nC) 2 RDS(ON) 2 3 2 3 3 3 3 Improved dv/d

Otros transistores... SWD4N60DC , SWF4N65D , SWN4N65D , SWSI4N65D , SWMI4N65D , SWUI4N65D , SWD4N65D , SWS4N65D , IRF1404 , SWP4N65D , SWMQI4N65D , SWI4N70D , SWN4N70D , SWD4N70D , SWF4N70D , SWP630D , SWD630D .

History: SWI4N60DC

 

 

 

 

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