SWP630D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SWP630D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 138.9 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de SWP630D MOSFET
SWP630D Datasheet (PDF)
sw630d swp630d swd630d.pdf

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 200V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27)@VGS=10V RDS(ON) : 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G
swp630d swd630d.pdf

SW630D N-channel Enhanced mode TO-220/TO-252 MOSFET Features TO-220 TO-252 BVDSS : 200V High ruggedness ID : 9A Low RDS(ON) (Typ 0.27)@VGS=10V RDS(ON) : 0.27 Low Gate Charge (Typ 20nC) Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested 1 1 2 2 Application:Synchronous Rectification, 3 3 DC-DC 1 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 G
sw630 swp630 swf630 swd630.pdf

SAMWIN SW630N-channel MOSFETTO-220F TO-220 TO-252FeaturesBVDSS : 200V High ruggednessID : 10A RDS(ON) (Max 0.4 )@VGS=10V Gate Charge (Typ 20nC)RDS(ON) : 0.4ohm1 Improved dv/dt Capability 2 100% Avalanche Tested1 132 23 321. Gate 2. Drain 3. SourceGeneral Description1This power MOSFET is produced with advanced VDMOS technology of SAMW
swp630a1.pdf

SW630A1 N-channel Enhanced mode TO-220 MOSFET TO-220 BVDSS : 200V Features ID : 10A High ruggedness RDS(ON) : 0.34 Low RDS(ON) (Typ 0.34)@VGS=10V Low Gate Charge (Typ 17nC) 2 Improved dv/dt Capability 1 100% Avalanche Tested 2 1 3 Application: LED , Charger, PC Power 1. Gate 2. Drain 3. Source 3 General Description This power
Otros transistores... SWS4N65D , SWB4N65D , SWP4N65D , SWMQI4N65D , SWI4N70D , SWN4N70D , SWD4N70D , SWF4N70D , P55NF06 , SWD630D , SWN6N70DA , SWSI6N70DA , SWUI6N70DA , SWD6N70DA , SWF6N70DA , SWI6N70DA , SWNX6N70DA .
History: RU6050L | SSP65R130S2 | IRFB4115GPBF | SIR871DP
History: RU6050L | SSP65R130S2 | IRFB4115GPBF | SIR871DP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
6426 mosfet | b1565 | nce82h140 | 2n2369 equivalent | 2sd313 datasheet | k8a50d datasheet | 2sc381 | datasheet mosfet